國內科技專家——

我國高端芯片研制已具備基礎

“十三五”國家重點研發計劃光電子與微電子器件及集成重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，我國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創新，從“863”計劃、“973”計劃到國家自然科學基金等各類項目，都投入大量資金引導高校、科研院所和企業對光電子芯片和模塊的關鍵技術進行了廣泛而深入的研究，取得了豐碩的創新性成果。

“當前我國已掌握中低端光電子器件關鍵技術，具備生產能力，但產能不足。在高端光電子器件研發方面，一些關鍵技術取得突破性進展，研制成功的原型器件通過系統功能驗證，某些關鍵技術達到國際先進水平。”祝寧華介紹，僅從“863”計劃的“十二五”規劃來看，國家針對寬帶通信、高性能計算機、骨干網絡、無線通信和微波光波融合等領域方向中的光電子器件進行了重點部署。

“這些研發項目有很多是前瞻布局的，中興通訊此次受到限制的所有芯片，在‘十二五’和‘十三五’國家重點研發計劃中，都有相應部署。”祝寧華說，半導體激光器被稱為信息網絡的心臟，在光傳輸和交換設備中，光器件占百分之六七十的成本比重。

祝寧華分析，當前我國在光電子高端芯片研制上已具備基本條件，無論技術積累還是資金投入，以及高端核心人才的培養和儲備，都具備了一定基礎條件。“只要國家選定面向未來信息網絡急需的1—2類核心關鍵光電子芯片，集中資源，從設計、研發、器件制備到封裝測試進行綜合布局，同時通過國家引導、地方和企業的參與，構建完善的光電子芯片加工工藝平臺，相信高端芯片研發將不斷取得新的突破。”

據了解，為實現自主創新發展，我國于2008年實施了國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”，經過9年攻關，成功打造了我國集成電路制造業創新體系。9年來，我國主流工藝水平提升了5代，55、40、28納米三代成套工藝研發成功并實現量產，22、14納米先導技術研發取得突破，已研制成功30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水平。封裝企業也從低端進入高端，三維高密度集成技術達到了國際先進水平。這一系列從無到有的突破，使我國集成電路制造技術體系和產業生態得以建立和完善。

“十三五”國家重點研發計劃寬帶通信和新型網絡重點專項專家組成員、北京大學教授李紅濱表示，近年來我國通信產業取得的成績有目共睹。“從農用交換機和邊沿設備起步，到現在通信設備產品全覆蓋，從2G、3G再到4G、5G，在通信系統技術方面已經位居世界前列。”

李紅濱表示，我國通信行業在經歷一個從低端到高端的發展過程。“事實上，這些年已經有不少企業投入大量研發力量去做高端研發，有的企業在關鍵芯片上已持續不斷地做了一二十年，也取得了創新性的成果。”

李紅濱介紹，我國近年來在信息通信領域加緊布局，組織實施了多種項目，一些單憑企業自身無法實現的平臺、裝備等依靠國家投入已初見成效，今后將發揮更大作用。“只要我們堅持已有的開放、競爭合作、共同發展道路不動搖，集中政府、研發機構、企業的優勢力量，相信用不了太久，在產業鏈高端——核心芯片上也會取得同樣令世人矚目的成就。”

(新媒體責編：news)